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半导体晶圆划片废水处理案例|半导体晶圆划片废水处理方法

新项目原型 本项目流程地处长四角位置某国家半导体材料财产校园内,制造业企业注意工作8厘米和12厘米晶圆,日产尼桑量起到2万片。现在生产能力素质增强,原本的废水外理工艺外理平台已无发做到环境保护的标准,急需要升阶更新改造。项目流程总项目投资约1200万元,设汁外理能力素质为300吨/日,于202在一年完工试运。 废水处理工艺基本成分及来原 该品牌晶圆片区工艺流程引发的废水处理方法常见包函下述组成: 切割工作过程中中选择的粉磨液留下物,最主要的组成为二氧化的硅颗料、表面层几丁质酶剂和巧妙填加剂 晶圆单单从表面冲洗存在的含氟废水处理工艺,氟阴阳离子酸度在80-120mg/L 少许高价属阴阳离子如铜、镍等,来自于切割工作方法磨坏 有机化学溶液存留,涉及异丙醇、甲苯等 pH值震荡最大,基本在4-10彼此 加工加工步骤流程 造成污废水 性质,结构设计主要采用"化学规范化工作这一方面+生物化学工作+高度工作"的组装加工过程: 控制池 :多样化水质检测用水量,使用pH在线视频检测和定时加量系统性 混凝土沉淀自己 :加药PAC和PAM,快速清理浮动物和固体有害物质 气浮象限 :应用溶气气浮生产技术进第一步出掉很小顆粒和区域有机的物 什么是生化处置 :选择MBR膜菌物想法器,污水盐浓度确保在8000-10000mg/L 淬硬层补救 :可溶性炭树脂吸附+反构建的工艺,有效确保溢水及格 污水办理 :板框刮刀离心机脱干,废水水分含量率低于60%这 净化处理感觉 系统化维持进行后,冒水水质基准完全性起到《电子设备工業水废弃物物排放量量基准》(GB39731-2020)格外排放量量卫生防护距离规定: COD<30mg/L 氟阳离子<5mg/L 悬浮按钮物<10mg/L 血本属一项公式均底于最大限度 工作今年可以减少环境破坏物排出量约COD 32吨、氟化物8.5吨,循环水率超过75%上面,为企业公司避免浪费煤气费收入支出约115万元/年。

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